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10ETF12SPBF

更新时间:2025-07-23 19:06:27

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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市铭科微电子有限公司
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深圳市天芯半导体科技有限公司
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得捷（深圳）商贸有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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10ETF12SPBF 概述

10ETF12SPBF是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为100V，在25℃环境温度下连续漏极电流可达30A。由于其出色的电气性能，这款MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、不间断电源系统以及直流-直流转换器等领域。在实际应用中，建议根据具体电路需求合理选择栅极驱动电阻值以优化开关速度和EMI性能。此外，注意布线时尽量减小源极电感以降低开关损耗并提高效率。

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