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AON6230

更新時間:2025-06-09 11:08:09

供應(yīng)商
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數(shù)量
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AON6230 概述

AON6230是Alpha & Omega Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用DFN5x6封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在4.5V柵極驅(qū)動下典型值為12mΩ，這有助于減少導(dǎo)通損耗，提升效率。其最大漏源電壓（VDSS）為30V，適用于多種電源管理應(yīng)用。該MOSFET常用于直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點轉(zhuǎn)換器以及電池充電電路等場景。在實際應(yīng)用中，使用時需確保柵極驅(qū)動電壓足夠以保證完全開啟，同時注意散熱設(shè)計避免過熱。例如在一個降壓轉(zhuǎn)換器電路中，可將其作為開關(guān)管，搭配合適的電感、電容和控制IC實現(xiàn)高效穩(wěn)定的電壓轉(zhuǎn)換。在布局PCB時應(yīng)盡量縮短源極到驅(qū)動回路的走線長度，減小寄生電感影響。

AON6230 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設(shè)計
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
57.5A（Ta），85A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
1.44 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
114 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
6050 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
7.4W（Ta），104W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-DFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線

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廣東微爾科技有限公司

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