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AON6366E

更新時間:2025-05-26 01:43:18

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AON6366E 概述

AON6366E是由Alpha and Omega Semiconductor公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET。它采用先進的PowerTrench工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性。該器件的封裝形式為DFN5x6，這種緊湊型封裝適合高密度電路板布局。AON6366E適用于直流 - 直流轉換器、電源管理以及電機驅(qū)動等多種應用場合。在筆記本電腦、平板電腦等便攜式設備的電源管理系統(tǒng)中，它有助于提高能效并減小設備尺寸。使用時需注意其最大漏源電壓為30V，確保電路工作電壓在此范圍內(nèi)，避免過壓損壞器件。在電路設計中，可根據(jù)實際需求選擇合適的柵極電阻來控制開關速度，減少電磁干擾。

AON6366E 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
AlphaMOS
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
34A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3.7 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3020 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
46W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-DFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線

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廣東微爾科技有限公司

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