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APT30M70BVRG

更新時間:2025-07-11 18:01:24

供應商
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APT30M70BVRG 概述

APT30M70BVRG是Microchip Technology生產(chǎn)的一款MOSFET功率晶體管。該器件采用Trench技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為70V，適合在工業(yè)級溫度范圍內(nèi)工作。典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載開關以及電源管理電路中。在電機驅(qū)動應用中，可實現(xiàn)低損耗和高效能的電能轉(zhuǎn)換。由于其低柵極電荷，能夠支持高速開關操作，從而減少開關損耗并提高整體效率。使用時應注意正確選擇柵極驅(qū)動電壓，以確保完全增強MOSFET通道，避免因欠驅(qū)動導致的高導通損耗。此外，在布局PCB時應盡量減小源極引腳的寄生電感，以防止振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。對于需要并聯(lián)多個MOSFET的應用場景，需保證每個器件的溫度均勻分布，以避免熱失控風險。

APT30M70BVRG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
POWER MOS V®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
300V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
48A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
70 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
225nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5870pF @ 25V
功率 - 最大
370W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247 [B]
包裝
管件

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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