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APT7M120S

更新時間:2025-06-10 03:25:13

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APT7M120S 概述

APT7M120S是Microsemi公司生產(chǎn)的一款MOSFET功率晶體管。該產(chǎn)品采用TO-247封裝，具有高電壓和大電流能力，適用于高效電源轉(zhuǎn)換應用。它能夠在高達1200V的電壓下工作，提供低導通電阻以減少能量損耗。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動以及高頻開關電源。其快速開關特性和低開關損耗使得它在高效率電力電子系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。在實際應用中，建議使用適當?shù)纳嵩O計來確保器件穩(wěn)定工作。對于電路設計，需注意柵極驅(qū)動電路的設計，保證足夠的驅(qū)動電壓和電流，避免因驅(qū)動不足導致的性能下降。在布局PCB時應盡量縮短源極和柵極走線，以減少寄生電感影響開關性能。

APT7M120S 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
POWER MOS 8?
包裝
散裝
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
8A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.1 歐姆 @ 3A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2565 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
335W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D3Pak
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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