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APTGLQ30H65T3G

更新时间:2025-06-20 03:49:15
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • APTGLQ30H65T3G

    APTGLQ30H65T3G

  • 1032

  • MICROCHIP(MICROSEMI)

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APTGLQ30H65T3G 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    散装
  • 产品状态
    在售
  • IGBT 类型
    沟槽型场截止
  • 配置
    全桥
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    40 A
  • 功率 - 最大值
    95 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2.3V @ 15V，30A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    50 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)
    1.9 nF @ 25 V
  • 输入
    标准
  • NTC 热敏电阻
    是
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    -
芯知识
6380
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广东微尔科技有限公司
APTGLQ30H65T3G推荐型号
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