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BSD3C031LX

更新時(shí)間:2025-07-04 11:11:48

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說(shuō)明
詢價(jià)

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市百視威訊電子科技有限公
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公
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BSD3C031LX 概述

BSD3C031LX是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款低導(dǎo)通電阻P溝道MOSFET。該器件采用超小型的DFN封裝，具有極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)，典型值在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下為31mΩ。其工作電壓范圍為-20V至-8V，適用于鋰電池保護(hù)電路、負(fù)載開(kāi)關(guān)等便攜式設(shè)備應(yīng)用。由于其緊湊的尺寸和優(yōu)異的導(dǎo)通特性，在提高效率的同時(shí)節(jié)省了寶貴的PCB空間。在實(shí)際應(yīng)用中，建議在布線時(shí)盡量縮短源極和漏極之間的引線長(zhǎng)度，以減少寄生電感影響，確保最佳性能。對(duì)于電池保護(hù)應(yīng)用，需注意合理選擇外部元件參數(shù)以實(shí)現(xiàn)過(guò)流與短路保護(hù)功能。

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