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BSP100

更新時間:2025-06-10 20:02:10

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BSP100 概述

BSP100是由英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻特性，在柵源電壓為4.5V時，最大導通電阻僅為0.1Ω。其設計適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關和電池供電設備等應用場合。在便攜式電子產(chǎn)品中，如智能手機和平板電腦，BSP100能夠有效降低功耗并提高能效比。使用時需注意散熱設計以確保長期穩(wěn)定工作，建議在PCB布局時增加足夠的銅箔面積用于散熱。在電路設計中，可與電感、電容組成DC-DC變換器的功率級部分，實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換功能。

BSP100 規(guī)格參數(shù)

典型關斷延遲時間
21 ns
典型接通延遲時間
6 ns
典型柵極電荷@Vgs
6 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds
250 pF V @ 20
安裝類型
表面貼裝
寬度
3.7mm
封裝類型
SC-73
尺寸
6.7 x 3.7 x 1.7mm
引腳數(shù)目
4
最低工作溫度
-65 °C
最大功率耗散
8300 mW
最大柵源電壓
±20 V
最大漏源電壓
30 V
最大漏源電阻值
0.1
最大連續(xù)漏極電流
3.2 A
最高工作溫度
+150 °C
每片芯片元件數(shù)目
1
類別
功率 MOSFET
通道模式
增強
通道類型
N
配置
雙漏極、單
長度
6.7mm
高度
1.7mm

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