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BYQ30E-200

更新時間:2025-07-06 04:20:09

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
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說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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168000
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全新原裝現(xiàn)貨/實單價格支持/優(yōu)勢渠道

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BYQ30E-200 概述

BYQ30E-200是安森美半導體生產(chǎn)的一款高壓N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓可達200V，適用于各種功率轉(zhuǎn)換應用中。典型應用場景包括交流-直流電源轉(zhuǎn)換器、適配器、LED照明驅(qū)動以及工業(yè)控制系統(tǒng)的電源管理模塊。在這些應用中，它能有效提高能效并減少發(fā)熱量。使用時需注意確保柵極驅(qū)動電壓足夠以充分開啟MOSFET，并合理設計散熱系統(tǒng)以維持穩(wěn)定工作溫度。對于需要高耐壓且對效率有要求的電路設計來說，BYQ30E-200是一個可靠的選擇。

BYQ30E-200 規(guī)格參數(shù)

制造商
NXP
產(chǎn)品種類
整流器
產(chǎn)品
Ultra Fast Recovery Rectifiers
配置
Dual Common Cathode
反向電壓
200 V
正向電壓下降
1.25 V
恢復時間
25 ns
正向連續(xù)電流
16 A
最大浪涌電流
88 A
反向電流 IR
30 uA
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220AB
封裝
Rail
最大工作溫度
+ 150 C
最小工作溫度
- 40 C
工廠包裝數(shù)量
50
零件號別名
BYQ30E-200,127

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BYQ30E-200,127
BAW56

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