CRST020N06N2

更新時間:2025-06-08 23:50:16

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CRST020N06N2 概述

CRST020N06N2是由Cree（科銳）公司生產的一款碳化硅（SiC）功率MOSFET。該器件采用最新的第三代技術，具有極低的導通電阻，在25°C時典型值為20mΩ，這使得它在高效能電力轉換系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓為650V，適合于高壓應用場合。該芯片廣泛應用于電動汽車充電樁、太陽能逆變器以及工業(yè)電源等領域。由于其快速開關特性和高溫穩(wěn)定性，可以顯著提高系統(tǒng)的整體效率并減少散熱需求。在實際應用中，建議使用合適的柵極驅動電路以確?？煽块_關操作，并注意PCB布局以優(yōu)化熱性能和電氣特性。對于高頻率應用，需仔細選擇柵極電阻來控制開關速度，避免過高的dv/dt引起EMI問題。