**芯片概述：** CSD17576Q5B是由Texas Instruments（德州儀器）生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用SON 5mm x 6mm封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率特性，適用于需要高效電源管理的應(yīng)用場(chǎng)景。它專(zhuān)為高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)調(diào)節(jié)器等。在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中，CSD17576Q5B廣泛應(yīng)用于電信設(shè)備、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)路由器以及工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)的電源管理模塊中。其快速開(kāi)關(guān)特性和低柵極電荷使其非常適合用于同步整流電路，能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)整體效率。 **應(yīng)用指導(dǎo)：** 在使用CSD17576Q5B時(shí)，建議注意以下幾點(diǎn)： 1. **驅(qū)動(dòng)電壓**：確保柵極驅(qū)動(dòng)電壓足夠高以實(shí)現(xiàn)最佳導(dǎo)通性能。 2. **散熱設(shè)計(jì)**：盡管器件本身具有良好的熱性能，但在高功率應(yīng)用中仍需考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧?3. **PCB布局**：合理設(shè)計(jì)PCB走線，減少寄生電感對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響。例如，在高頻應(yīng)用中，盡量縮短源極與柵極之間的連線長(zhǎng)度。更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參考官方技術(shù)文檔或數(shù)據(jù)手冊(cè)。

CSD17576Q5B 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
396現(xiàn)貨10,000Factory
系列
NexFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類(lèi)型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
100A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
2 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
4430 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-VSONP（5x6）
封裝/外殼
8-PowerTDFN

芯知識(shí)

1.3萬(wàn)

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