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CSD19532KTT

更新時間:2025-06-09 00:08:43

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詢價

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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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CSD19532KTT 概述

CSD19532KTT是由Texas Instruments（德州儀器）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的工藝技術(shù)制造，具有極低的導通電阻和柵極電荷，這使得它在高頻開關(guān)應用中表現(xiàn)出色。基礎(chǔ)描述方面，CSD19532KTT的最大漏源電壓(VDS)為30V，最大連續(xù)漏極電流(ID)可達100A(在特定條件下)，這種特性使其非常適合用于高效電源轉(zhuǎn)換電路。其超低的導通電阻有助于減少導通損耗，提高整體系統(tǒng)效率。在應用場景上，這款MOSFET廣泛應用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合。例如，在DC-DC電源模塊中，它可以作為主開關(guān)管使用，以實現(xiàn)高效率的能量傳輸。設計時需要注意其散熱設計，確保在大電流工作狀態(tài)下能夠有效散熱，保證器件穩(wěn)定運行。同時，在PCB布局時應盡量減小寄生電感，以充分發(fā)揮其高速開關(guān)性能。

CSD19532KTT 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
NexFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
200A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
5.6 毫歐 @ 90A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5060 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DDPAK/TO-263-3
封裝/外殼
TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA

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廣東微爾科技有限公司

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