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DMG4N65CT

更新時間:2025-07-19 13:36:25

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DMG4N65CT 概述

DMG4N65CT是一款由威世半導體（Vishay）生產的N溝道功率MOSFET，采用TO-220封裝。該器件設計用于高效功率轉換應用，具有低導通電阻和高開關速度的特點。其最大漏源電壓(VDS)為650V，適用于高壓應用環(huán)境，如開關電源、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)、電機驅動以及照明控制電路等。在實際應用中，DMG4N65CT可以作為主開關管使用，能夠有效降低能量損耗并提高系統(tǒng)效率。當應用于反激式變換器或正激式變換器時，建議合理選擇柵極驅動電阻值以優(yōu)化開關性能，避免過高的dv/dt導致誤觸發(fā)。此外，在布局PCB時應注意減小柵極回路的寄生電感，以減少電磁干擾(EMI)，確保穩(wěn)定運行。

DMG4N65CT 規(guī)格參數

現(xiàn)有數量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
管件
產品狀態(tài)
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3 歐姆 @ 2A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
13.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.19W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
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封裝/外殼
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