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DMN2004TK-7

更新時間:2025-07-03 21:44:14

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DMN2004TK-7 概述

DMN2004TK-7是一款由Diodes Incorporated生產的P溝道MOSFET，采用SOT-23封裝。該器件的最大漏極-源極電壓（VDS）為-20V，最大柵極-源極電壓（VGS）為±8V。其典型應用包括負載開關、電源管理以及電池供電設備中的功率控制。DMN2004TK-7具有低導通電阻（RDS(on)），在4.5V柵極驅動下典型值為60mΩ，這有助于減少功耗并提高效率。此外，它還具備快速開關特性，適用于需要高效能的便攜式電子設備中。在實際應用中，建議在柵極和源極之間添加一個適當?shù)男‰娙菀苑€(wěn)定電路，并確保散熱良好以防止過熱。該MOSFET廣泛應用于智能手機、平板電腦等消費類電子產品中。

DMN2004TK-7 規(guī)格參數(shù)

制造商
Diodes Inc.
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
20 V
閘/源擊穿電壓
+/- 8 V
漏極連續(xù)電流
0.54 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
550 mOhms at 4.5 V
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-523-3
封裝
Reel
下降時間
9.1 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
150 mW
上升時間
9.1 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
典型關閉延遲時間
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