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DMN3025LFDF-7

更新時間:2025-05-17 14:16:46

供應商
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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DMN3025LFDF-7 概述

DMN3025LFDF-7是由Diodes Incorporated生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用DFN3x3封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為25V，連續(xù)漏極電流可達4.8A（在25°C條件下），非常適合用于電源管理、負載切換和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應用場景。由于其小尺寸封裝設(shè)計，特別適合空間受限的便攜式設(shè)備。在實際應用中，建議注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，以確保完全開啟MOSFET，減少導通損耗。此外，在PCB布局時，應盡量減小源極與柵極之間的寄生電感，以避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。

DMN3025LFDF-7 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨15,000Factory查看交期
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
9.9A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
20.5 毫歐 @ 7A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
13.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
641 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
U-DFN2020-6（F 類）
封裝/外殼
6-UDFN 裸露焊盤

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廣東微爾科技有限公司

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DMN3030LSS-13
D3SBA60

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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