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FCH20N60

更新時間:2025-07-03 10:38:16

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FCH20N60外觀圖

FCH20N60

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

封裝:TO-247-3

FCH20N60 概述

FCH20N60是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等應(yīng)用場合。其最大漏極電流可達20A，耐壓值為600V，適合在高壓大電流的環(huán)境中使用。在實際應(yīng)用中，F(xiàn)CH20N60常用于工業(yè)控制設(shè)備中的逆變器電路以及不間斷電源系統(tǒng)(UPS)。設(shè)計時需注意其柵極驅(qū)動電壓應(yīng)保持在10到20V之間以確?？煽繉?，并且要保證散熱良好，通常需要加裝散熱片。在電路布局上，盡量縮短源極與柵極之間的引線長度，減少寄生電感的影響。對于驅(qū)動電路的設(shè)計，可以選用專用的MOSFET驅(qū)動芯片來提高效率并減少EMI干擾。

FCH20N60 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
SuperFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
98nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3080pF @ 25V
功率 - 最大
208W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-247
包裝
管件
其它名稱
FCH20N60_NLFCH20N60_NL-ND

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