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FDD6030BL

更新時(shí)間:2025-07-08 02:14:29

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
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數(shù)量
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封裝/批號(hào)
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FDD6030BL 概述

FDD6030BL是一款由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購(gòu)）生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力的特點(diǎn)?；A(chǔ)描述方面，它在柵源電壓為10V時(shí)的最大導(dǎo)通電阻僅為20毫歐姆，最大漏極電流可達(dá)30A。由于其優(yōu)異的電氣性能，這款MOSFET廣泛應(yīng)用于電源管理電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電器等場(chǎng)景中。在實(shí)際應(yīng)用中，使用時(shí)應(yīng)注意合理布局PCB以優(yōu)化散熱效果，并確保柵極驅(qū)動(dòng)電壓足夠以降低導(dǎo)通電阻從而減少功耗。設(shè)計(jì)電路時(shí)應(yīng)參考具體的應(yīng)用需求選擇合適的外圍元件，如電感和電容等，以構(gòu)建高效穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換電路。

FDD6030BL 規(guī)格參數(shù)

制造商
Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
42 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.0077 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252AA
封裝
Reel
下降時(shí)間
5 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
3.8 W
上升時(shí)間
10 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
18 ns
零件號(hào)別名
FDD6030BL_NL

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