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FQB6N70TM

更新時間:2025-05-29 08:48:42

供應商
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數(shù)量
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封裝/批號
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨

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FQB6N70TM外觀圖

FQB6N70TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FQB6N70TM 概述

FQB6N70TM是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用TO-220絕緣封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為700V，連續(xù)漏極電流可達6A，在高壓功率轉換電路中表現(xiàn)出色。此MOSFET廣泛應用于電源管理、電機驅動、逆變器以及不間斷電源(UPS)系統(tǒng)等需要高效功率控制的場合。在具體應用時，建議將柵極驅動電阻設置在10Ω至50Ω之間以減少振鈴現(xiàn)象，并確保良好的PCB布局以優(yōu)化散熱性能。使用時應注意保持柵極與源極之間的電容充放電路徑盡可能短，避免寄生電感影響開關速度和可靠性。

FQB6N70TM 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
700V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 歐姆 @ 3.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1400pF @ 25V
功率 - 最大
3.13W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)

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