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FQI3N40

更新時間:2025-07-03 09:28:42

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FQI3N40 概述

FQI3N40是Fairchild Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種電源管理應用。其最大漏極-源極電壓為400V，可滿足中高壓應用需求。典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、交流-直流適配器以及電機驅(qū)動電路。在設(shè)計時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET。對于電源轉(zhuǎn)換電路，推薦使用合適的柵極電阻來控制開關(guān)速度，減少EMI干擾。建議在PCB布局時優(yōu)化散熱路徑，以提高整體熱性能。

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