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FQPF2N60C

更新時間:2025-05-17 03:24:08

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市硅諾電子科技有限公司
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原裝認證有意請來電或QQ洽談

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ON/安森美
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深圳市美思星科技有限公司
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原包裝正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道增值稅票

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藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市盛達亨科技有限公司
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原廠發(fā)貨進口原裝微信同步QQ893727827

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FQPF2N60C外觀圖

FQPF2N60C

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F

封裝:TO-220-3 整包

FQPF2N60C 概述

FQPF2N60C是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET，現(xiàn)已被安森美半導體收購。該器件采用TO-220F封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為600V，適合高壓應用環(huán)境。典型應用包括開關電源、電機驅(qū)動、照明系統(tǒng)中的電子鎮(zhèn)流器以及各種功率轉換電路。在反激式變換器中，F(xiàn)QPF2N60C作為初級側開關管使用時，能夠有效降低損耗并提高效率。設計時應注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，確?？煽块_啟和關閉MOSFET，同時要合理布局PCB以優(yōu)化散熱性能。

FQPF2N60C 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.7 歐姆 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
235pF @ 25V
功率 - 最大
23W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220F
包裝
管件

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