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IKD06N60RA

更新時間:2025-05-19 19:08:18

供應商
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封裝/批號
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Infineon(英飛凌)
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北京羅徹斯特電子科技有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

深圳市廣弘電子有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市福田區(qū)超洋芯電子經營部
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原裝現(xiàn)貨，實單支持

深圳市萬芯時代貿易有限公司
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1
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N/A/25+
回收此型號IKD06N60RA

深圳市金燦利電子科技有限公司
IKD06N60RA
128000
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TO252/23+
全新原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單

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IKD06N60RA 概述

IKD06N60RA是由Infineon Technologies生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達6A，在電源管理、電機驅動和不間斷電源系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。在電機驅動應用中，推薦使用適當?shù)臇艠O驅動電路以確保可靠開關操作，并注意布局設計以減少寄生電感影響。對于電源轉換器設計，需考慮散熱管理并選擇合適的PCB焊盤尺寸以優(yōu)化熱性能。此元件在工業(yè)自動化設備和家用電器變頻控制中也有廣泛應用。

IKD06N60RA 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據列表
RC-Drives IGBT Prod Brief
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
TrenchStop™
IGBT 類型
溝道
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.1V @ 15V，6A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
12A
功率 - 最大
100W
輸入類型
標準型
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IKD06N60RAATMA1SP000729342

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