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IRF1104S

更新時間:2025-06-10 14:44:31

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳市楚勝電子有限公司
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房間現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢。

深圳市科鑫美電子有限公司
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公司原裝現(xiàn)貨庫存，支持實單

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專注原裝正品現(xiàn)貨價格量大可定歡迎惠顧(長期高價回收...

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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市賽美科科技有限公司
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海芯未來半導(dǎo)體電子（深圳）有
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

中科航電（深圳）電子集團有限
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只做現(xiàn)貨，一站式配單

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IRF1104S外觀圖

IRF1104S

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRF1104S 概述

1104S是由國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用先進的功率MOSFET技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓（Vds）為40V，連續(xù)漏極電流（Id）可達55A，適用于高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)以及電池管理電路等。在這些應(yīng)用中，IRF1104S能有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。由于其柵極電荷較低，因此可以實現(xiàn)快速開關(guān)，減少開關(guān)損耗。此外，該MOSFET還具備良好的雪崩耐量，在瞬態(tài)過壓情況下提供額外保護。使用時應(yīng)注意確保柵極驅(qū)動電壓足夠高以充分開啟MOSFET，并選擇合適的散熱措施以避免過熱損壞。在設(shè)計過程中，建議根據(jù)具體需求合理布局PCB走線，盡量減小寄生電感對性能的影響。

IRF1104S 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9 毫歐 @ 60A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
93nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2900pF @ 25V
功率 - 最大
2.4W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D2PAK
包裝
管件
其它名稱
*IRF1104S

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