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IRF9953

更新時間:2025-05-17 17:27:28

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IRF9953外觀圖

IRF9953

International Rectifier FET - 陣列

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

IRF9953 概述

IRF9953是由國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款N溝道和P溝道MOSFET組合的雙芯片器件。它采用PowerPAK SO-8封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。該器件適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點調(diào)節(jié)器以及電池供電設(shè)備中的電源管理應(yīng)用。在實際應(yīng)用中，IRF9953常用于同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計中作為高側(cè)和低側(cè)開關(guān)。其優(yōu)化的柵極電荷使得驅(qū)動電路的設(shè)計更為簡單，并能降低整體功耗。使用時需注意散熱設(shè)計以確保最佳性能表現(xiàn)。推薦在PCB布局上增加足夠的銅箔面積來幫助散熱，同時保持輸入輸出電容盡量靠近MOSFET引腳以減少寄生效應(yīng)。對于初學(xué)者而言，在選擇驅(qū)動電阻時應(yīng)仔細考慮以匹配系統(tǒng)的工作頻率要求。

IRF9953 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
95
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
HEXFET®
FET 型
2 個 P 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
250 毫歐 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
190pF @ 15V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-SO
包裝
管件
其它名稱
*IRF9953

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IRF9953PBF
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IRF9953TRPBF
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IRF9020
IRF9024
IRF830

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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