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IRFB38N20DPBF

更新時間:2025-07-04 06:21:44

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深圳市誠研翔科技有限公司
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華芯盛世半導體（深圳）有限公
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深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司
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IRFB38N20DPBF外觀圖

IRFB38N20DPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB

封裝:TO-220-3

IRFB38N20DPBF 概述

IRFB38N20DPBF是由Infineon Technologies生產的N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為200V，適用于多種電源管理應用。典型應用場景包括不間斷電源(UPS)、直流-直流轉換器以及電機驅動電路。在這些應用中，它能夠高效地控制電能的傳輸與轉換，減少能量損耗。使用時需注意其最大電流能力和散熱設計以確保穩(wěn)定運行。對于電機驅動應用，建議搭配適當的柵極驅動電路來優(yōu)化開關性能并降低EMI干擾。

IRFB38N20DPBF 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
43A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
54 毫歐 @ 26A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
91nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2900pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRFB38N20DPBF

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