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IRFB52N15DPBF

更新時間:2025-05-16 12:59:31

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
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說明
詢價

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IRFB52N15DPBF外觀圖

IRFB52N15DPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB

封裝:TO-220-3

IRFB52N15DPBF 概述

IRFB52N15DPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件具有低導通電阻和高電流承載能力，適合于各種電源管理應用。其最大漏極 - 源極電壓為150V，在25°C下連續(xù)漏極電流可達52A。典型應用場景包括電機驅(qū)動、開關(guān)模式電源以及直流 - 直流轉(zhuǎn)換器等。在電機驅(qū)動電路中，它能有效提高效率并減少功耗。設計時應注意其柵極驅(qū)動電壓需滿足要求以確?？煽块_啟和關(guān)閉。例如，在一個典型的降壓轉(zhuǎn)換器電路里，可將其用作控制開關(guān)來調(diào)節(jié)輸出電壓。使用過程中要關(guān)注散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。

IRFB52N15DPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
51A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
32 毫歐 @ 36A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
89nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2770pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRFB52N15DPBF

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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