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IRFH4201TRPBF

更新時間:2025-05-30 14:32:19

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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IRFH4201TRPBF 概述

IRFH4201TRPBF是國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下品牌）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET，采用PowerPAK SO-8封裝。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)調(diào)節(jié)器以及電池供電設備等應用場合。其最大漏源電壓(VDS)為30V，連續(xù)漏極電流(ID)在25℃時可達75A。由于其出色的熱性能和電氣特性，特別適合需要緊湊設計和高效率的電源管理電路。在實際應用中，建議注意散熱設計以充分發(fā)揮其性能，并確保柵極驅(qū)動電路的穩(wěn)定性以避免誤觸發(fā)。此元件常用于筆記本電腦、服務器和通信設備的電源管理系統(tǒng)中。

IRFH4201TRPBF 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
HEXFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
25 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
49A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
0.95 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 150μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
94 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
6100 pF @ 13 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.5W（Ta），156W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-PQFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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廣東微爾科技有限公司

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