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IRFH5220TRPBF

更新时间:2025-05-23 01:47:50
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IRFH5220TRPBF外观图

IRFH5220TRPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

  • 封装:8-VQFN 裸露焊盘
IRFH5220TRPBF 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    99.9 毫欧 @ 5.8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1380pF @ 50V
  • 功率 - 最大
    3.6W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-VQFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    PQFN（5x6）
  • 包装
    带卷 (TR)
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