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IRLR3303

更新時間:2025-05-19 06:24:23

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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TO252/24+
假一罰十，原裝進(jìn)口現(xiàn)貨供應(yīng)，只做原裝

深圳市科鑫美電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨終端免費(fèi)提供樣品

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一級代理品牌，價格優(yōu)勢，原廠原裝，量大可以發(fā)貨訂

上海凌岳電子科技有限公司（上
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單

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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

深圳市騰樁電子有限公司
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IRLR3303外觀圖

IRLR3303

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRLR3303 概述

IRLR3303是由國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌的一部分）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用TO-252 (DPAK)封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，適用于多種電源管理應(yīng)用。其典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動和電池充電電路等。由于其低柵極電荷特性，IRLR3303在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠有效降低開關(guān)損耗。此外，它還具備出色的熱性能，能在較高的工作溫度下穩(wěn)定運(yùn)行，適合緊湊型設(shè)計。使用時應(yīng)注意柵極電壓的控制，確保不超過最大額定值，并采取適當(dāng)?shù)纳岽胧┮跃S持最佳性能。在電路設(shè)計中，推薦并聯(lián)一個適當(dāng)?shù)臇艠O電阻來抑制振蕩現(xiàn)象。

IRLR3303 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
75
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
35A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
31 毫歐 @ 21A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
870pF @ 25V
功率 - 最大
68W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
管件
其它名稱
*IRLR3303Q811927

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