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IS61WV51216EEBLL-10B2LI

更新时间:2025-06-22 18:23:59
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  • 深圳市企诺德电子有限公司

  • IS61WV51216EEBLL-10B2LI

    IS61WV51216EEBLL-10B2LI

  • 3000

  • ISSI Integrated Silicon Solution Inc

  • IC SRAM 8MBIT 10NS 48MBGA/17+

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IS61WV51216EEBLL-10B2LI 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    托盘
  • 产品状态
    在售
  • 存储器类型
    易失
  • 存储器格式
    SRAM
  • 技术
    SRAM - 异步
  • 存储容量
    8Mb
  • 存储器组织
    512K x 16
  • 存储器接口
    并联
  • 时钟频率
    -
  • 写周期时间 - 字，页
    10ns
  • 访问时间
    10 ns
  • 电压 - 供电
    2.4V ~ 3.6V
  • 工作温度
    -40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    48-TFBGA
  • 供应商器件封装
    48-TFBGA（6x8）
芯知识
6194
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广东微尔科技有限公司
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