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IX3120GSTR

更新時間:2025-07-09 18:37:16

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
IX3120GSTR
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誠信經營，提供BOM一站式配單服務
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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原裝渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

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深圳市華普冠科電子科技有限公
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只做原裝

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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

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上海凱昂電子技術有限公司
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深圳市萬芯時代貿易有限公司
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回收此型號IX3120GSTR

深圳市金燦利電子科技有限公司
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128000
IXYS
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全新原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單

深圳市銘科微電子有限公司
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IX3120GSTR 概述

IX3120GSTR是IXYS公司生產的一款高性能N溝道MOSFET，采用表面貼裝的TO-263封裝形式。該MOSFET具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時，最大導通電阻僅為0.018Ω，這有助于減少導通損耗，提高系統(tǒng)效率。其最大漏極 - 源極電壓（VDSS）為200V，適合于高壓應用場合。在應用方面，IX3120GSTR廣泛應用于開關電源、電機驅動、不間斷電源（UPS）等領域。例如在電機驅動電路中，它可以作為功率開關管使用，有效地控制電機的啟動、停止和調速。在使用時需要注意，要確保柵極驅動電壓足夠高以使MOSFET充分導通，并且合理設計散熱系統(tǒng)以避免過熱損壞。

IX3120GSTR 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
停產
技術
光學耦合
通道數(shù)
1
電壓 - 隔離
3750Vrms
共模瞬變抗擾度（最小值）
25kV/μs
傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）
500ns，500ns
脈寬失真（最大）
300ns
上升/下降時間（典型值）
100ns，100ns
電流 - 輸出高、低
2A，2A
電流 - 峰值輸出
2.5A
電壓 - 正向 (Vf)（典型值）
1.24V
電流 - DC 正向 (If)（最大值）
20 mA
電壓 -?輸出供電
15V ~ 30V
工作溫度
-40°C ~ 100°C
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SMD，鷗翼
供應商器件封裝
8-SMD
認證機構
UR

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