IXBT28N170A是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的Trench技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓Vds為1700V，連續(xù)漏極電流Id為28A，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定性能。這款MOSFET特別適用于高壓、大功率應(yīng)用場合。 典型應(yīng)用場景包括工業(yè)電源、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)、太陽能逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等需要高效率和可靠性的領(lǐng)域。在實(shí)際應(yīng)用中，建議選擇適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保良好的PCB布局以降低寄生電感影響。使用時(shí)需注意散熱設(shè)計(jì)，推薦采用足夠的散熱片或冷卻裝置來保證器件工作溫度處于安全范圍內(nèi)。