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IXFH13N90

更新時間:2025-07-05 00:49:38

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IXFH13N90外觀圖

IXFH13N90

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 900V 13A TO-247

封裝:TO-247-3

IXFH13N90 概述

IXFH13N90是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件基于先進的高電壓DMOS技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓（VDS）可達900V，連續(xù)漏極電流（ID）為13A，適合于需要高耐壓和大電流處理能力的電路設計。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、開關電源以及各類工業(yè)控制設備中的高壓開關電路。由于其低柵極電荷（Qg）特性，可以有效降低驅動損耗并提高整體效率，在高頻PWM控制中表現(xiàn)尤為突出。在實際應用中需注意適當?shù)纳嵩O計以保證器件長期穩(wěn)定工作，推薦使用合適的散熱器或冷卻系統(tǒng)。此外，電路布局時應盡量減小柵極回路電感，避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。

IXFH13N90 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
900V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
13A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
800 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
155nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4200pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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