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IXFH320N10T2

更新時間:2025-05-20 03:58:33

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市德江源電子有限公司
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IXFH320N10T2外觀圖

IXFH320N10T2

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 100V 320A TO-247

封裝:TO-247-3

IXFH320N10T2 概述

IXFH320N10T2是由IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高效率和高可靠性的應用場合，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏極-源極電壓（Vds）為100V，連續(xù)漏極電流（Id）可達320A，適用于需要大電流處理能力的場景。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、電池管理以及各種工業(yè)和消費類電源轉換系統(tǒng)。在這些應用中，它能夠有效降低功耗并提高整體系統(tǒng)效率。使用時應注意適當?shù)纳嵩O計以確保器件穩(wěn)定工作，并根據(jù)具體需求選擇合適的柵極驅動電路來優(yōu)化開關性能。建議在實際電路設計前參考最新的數(shù)據(jù)手冊以獲取詳細參數(shù)及推薦布局指南。

IXFH320N10T2 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
Trench™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
320A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.5 毫歐 @ 100A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
430nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
26000pF @ 25V
功率 - 最大
1000W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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廣東微爾科技有限公司

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