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IXFH34N65X2

更新時間:2025-05-20 03:33:09

供應商
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詢價

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只做自己原裝現(xiàn)貨，10年保證

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只做現(xiàn)貨，一站式配單

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深圳市宏譽半導體有限公司
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無錫固電半導體股份有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，支持免費送樣

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IXFH34N65X2 概述

IXFH34N65X2是來自IXYS公司的一款高性能功率MOSFET。這款MOSFET采用TO-247封裝，適用于高電壓應用場合。其最大漏源電壓可達650V，能夠處理較大電流，連續(xù)漏極電流為34A。該器件具有低導通電阻特性，在減少功率損耗方面表現(xiàn)優(yōu)異。典型應用場景包括開關電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅動以及工業(yè)控制等需要高效能轉換和控制的領域。在電路設計中使用時，需注意適當?shù)纳岽胧┮员ＷC其穩(wěn)定工作。同時，在進行PCB布局時，應盡量減小柵極回路的寄生電感，避免高頻振蕩現(xiàn)象的發(fā)生，確保設備可靠運行。對于高壓側驅動的應用，選擇合適的驅動芯片也是成功的關鍵因素之一。

IXFH34N65X2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
100現(xiàn)貨
系列
HiPerFET?, Ultra X2
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
34A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
105 毫歐 @ 17A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
540W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247（IXTH）
封裝/外殼
TO-247-3

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IRF530N

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