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IXFK50N50

更新時間:2025-07-04 23:38:19

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封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

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深圳市誠研翔科技有限公司
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IXFK50N50外觀圖

IXFK50N50

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA

封裝:TO-264-3，TO-264AA

IXFK50N50 概述

IXFK50N50是IXYS公司生產的一款高性能N溝道MOSFET。該器件采用TO-264封裝，適用于高功率和高電壓應用場合。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）可達50A，具備低導通電阻（Rds(on)）以減少功率損耗。此款MOSFET廣泛應用于開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動器以及各類工業(yè)控制設備中。在這些應用場景下，它能夠高效地進行電力轉換與控制，提升系統(tǒng)整體效率。使用時應注意合理的散熱設計，確保工作溫度在安全范圍內。建議在電路設計中加入適當?shù)木彌_電路以保護MOSFET免受瞬態(tài)電壓尖峰損害。此外，在高頻應用場合需特別關注柵極驅動電路的設計，以保證快速可靠的開關操作。

IXFK50N50 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
25
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
330nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
9400pF @ 25V
功率 - 最大
625W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應商設備封裝
TO-264AA
包裝
管件

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IRF640

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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