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IXFX24N100Q3

更新時間:2025-06-01 03:19:30

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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十年配單，只做原裝

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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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回收此型號IXFX24N100Q3

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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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艾潤（香港）電子有限公司
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原裝部分現(xiàn)貨量大期貨

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41150
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上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎咨詢

深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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得捷（深圳）商貿(mào)有限公司
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深圳市華芯源電子有限公司
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深圳市鼎信佳電子科技有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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深圳市華普冠科電子科技有限公
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上海紫卓電子科技有限公司
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深圳市金嘉銳電子有限公司
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芯德微聯(lián)（深圳）電子有限公司
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深圳市科翼源電子有限公司
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IXFX24N100Q3外觀圖

IXFX24N100Q3

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247

封裝:TO-247-3

IXFX24N100Q3 概述

IXFX24N100Q3是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件基于先進的Q3技術平臺，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高電壓應用場合。其最大漏源電壓（Vds）為1000V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時為24A。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅動和高頻開關電源等需要高效功率轉換的領域。在實際應用中，建議在PCB設計時充分考慮散熱需求，確保良好的熱管理以維持器件穩(wěn)定工作溫度。由于其高電壓特性，在電路布局時需特別注意電氣間隙和爬電距離要求，避免潛在的高壓擊穿風險。此外，推薦使用適當?shù)臇艠O驅動電路來優(yōu)化開關性能并減少EMI干擾。

IXFX24N100Q3 規(guī)格參數(shù)

特色產(chǎn)品
Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
24A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
440 毫歐 @ 12A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
6.5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
140nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7200pF @ 25V
功率 - 最大
1000W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

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廣東微爾科技有限公司

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