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IXSH40N60B

更新時間:2025-05-17 06:41:41

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IXSH40N60B外觀圖

IXSH40N60B

IXYS IGBT - 單路

IGBT 60V 75A SCSOA TO-247

封裝:TO-247-3

IXSH40N60B 概述

IXSH40N60B是英飛凌科技公司生產的高壓功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性。它專為高壓應用設計，最大漏源電壓可達600V，連續(xù)漏極電流最高可達22A（在室溫條件下）。此MOSFET適用于各種電源轉換器，如開關電源、不間斷電源系統(tǒng)以及電機驅動等場景。其優(yōu)化的開關性能有助于減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。在實際應用中，需注意柵極驅動電路的設計以確?？煽块_啟和關閉MOSFET，避免因不當操作導致器件損壞。對于高頻應用，合理選擇柵極電阻值可以有效降低電磁干擾。在典型電路設計中，通常與控制IC配合使用，構成完整的功率變換模塊。

IXSH40N60B 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.2V @ 15V，40A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
75A
功率 - 最大
280W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247AD
包裝
管件

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IRF9530

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