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IXTA3N150HV

更新時間:2025-06-17 13:40:01

供應商
產品型號
服務標識
數量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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IXTA3N150HV 概述

IXTA3N150HV是IXYS公司生產的一款高壓功率MOSFET。它采用先進的HiPerFET技術，具有極低的導通電阻和柵極電荷，這使得它在開關應用中能夠實現(xiàn)高效能和快速切換。其最大漏源電壓(VDS)可達150V，連續(xù)漏極電流(ID)約為3A，在高溫環(huán)境下也能保持良好的性能表現(xiàn)。該MOSFET適用于各種電源管理應用，如直流-直流轉換器、電機驅動以及不間斷電源系統(tǒng)等。由于其優(yōu)秀的熱特性和電氣特性，IXTA3N150HV在需要高可靠性和高性能的工業(yè)及商業(yè)設備中得到廣泛應用。在實際使用時，需注意遵循正確的驅動電壓范圍以確保穩(wěn)定工作，并合理設計散熱措施以保障器件長期可靠運行。

IXTA3N150HV 規(guī)格參數

現(xiàn)有數量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
7.3 歐姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
38.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1375 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263AA
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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廣東微爾科技有限公司

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IXTA120P065T
IXTA12N50P
IXTA152N085T7
IRF840

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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