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IXTA4N65X2

更新時間:2025-06-12 03:57:36

供應商
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封裝/批號
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詢價

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IXTA4N65X2 概述

IXTA4N65X2是IXYS公司推出的一款高性能高壓MOSFET，專為高效功率轉換應用設計。該器件采用先進的溝槽技術，具有極低的導通電阻和柵極電荷，有助于減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率。IXTA4N65X2的最大漏源電壓(VDS)可達650V，連續(xù)漏極電流(ID)為4A，在高溫條件下也能保持穩(wěn)定的性能。該MOSFET適用于多種電源管理應用，如交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)轉換器、電機驅動器以及照明控制電路。其快速的開關速度和優(yōu)異的熱性能使得它成為需要緊湊設計和高可靠性的電力電子設備的理想選擇。在實際應用中，應注意合理布局PCB以優(yōu)化散熱，并確保柵極驅動信號的質量以避免誤觸發(fā)。

IXTA4N65X2 規(guī)格參數

現有數量
35現貨
系列
Ultra X2
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
850 毫歐 @ 2A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
8.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
455 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
80W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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廣東微爾科技有限公司

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