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IXTH110N25T

更新時間:2025-05-21 02:53:51

供應商
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詢價

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IXTH110N25T外觀圖

IXTH110N25T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 250V 110A TO-247

封裝:TO-247-3

IXTH110N25T 概述

IXTH110N25T是由IXYS公司生產(chǎn)的高功率MOSFET，專門用于高效能電源管理應用。該器件采用TO-247封裝，具有極低的導通電阻和快速開關(guān)特性，使其在大電流和高壓環(huán)境下表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓（Vds）為250V，連續(xù)漏極電流（Id）可達110A，適用于不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、焊接設備和開關(guān)模式電源（SMPS）等場合。在實際應用中，需確保良好的散熱設計以維持最佳性能，推薦使用適當?shù)纳崞骱蛯岵牧稀ｋ娐吩O計時應關(guān)注柵極驅(qū)動電路的優(yōu)化，避免過沖和振鈴現(xiàn)象，以減少EMI干擾并提高整體系統(tǒng)效率。

IXTH110N25T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
110A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
24 毫歐 @ 55A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
157nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
9400pF @ 25V
功率 - 最大
694W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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