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IXTH120P065T

更新時間:2025-06-13 06:46:09

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
封裝/批號
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深圳市誠研翔科技有限公司
IXTH120P065T
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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IXTH120P065T外觀圖

IXTH120P065T

IXYS FET - 單

MOSFET P-CH 65V 120A TO-247

封裝:TO-247-3

IXTH120P065T 概述

IXTH120P065T是由IXYS公司生產(chǎn)的一款功率MOSFET。該器件設計用于高效能的電源管理應用，具有低導通電阻和高電流處理能力的特點。其最大漏極電流可達120A，耐壓值為650V，適用于需要高電壓和大電流的應用場景，如開關電源、電機驅動器和不間斷電源系統(tǒng)（UPS）。在電機驅動應用中，此MOSFET可以有效降低功耗并提高效率。使用時應注意散熱設計以確保長期穩(wěn)定工作，并遵循推薦的柵極驅動電路來優(yōu)化性能。根據(jù)具體應用場景，建議查閱最新的數(shù)據(jù)手冊獲取詳細的技術參數(shù)和電路設計指導。

IXTH120P065T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
TrenchP™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
65V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
185nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
13200pF @ 25V
功率 - 最大
298W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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IXTH10N60
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