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IXTH1N200P3

更新時間:2025-05-29 00:41:28

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IXTH1N200P3 概述

IXTH1N200P3是IXYS公司生產的一款高電壓功率MOSFET，適用于高壓開關應用。該器件的最大漏源電壓可達2000V，連續(xù)漏極電流為1A，具有低導通電阻和快速開關特性，有助于提高系統(tǒng)效率并減少熱損耗。其封裝形式為TO-247，這種封裝具有良好的散熱性能，適合在大功率電路中使用。此款MOSFET常用于工業(yè)電源、電機驅動、電池充電器等需要高電壓開關的場合。在實際應用中，為了確保可靠工作，建議在設計時充分考慮散熱管理，并根據具體需求選擇合適的柵極驅動電路。例如，在電機驅動應用中，可以將其與合適的PWM控制器配合使用，以實現精確的速度控制。同時需要注意的是，由于其高電壓特性，在電路布局上要特別注意電氣隔離，避免發(fā)生短路或擊穿現象。

IXTH1N200P3 規(guī)格參數

現有數量
11現貨
系列
Polar P3?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
2000 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
1A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
40 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
23.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
646 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247（IXTH）
封裝/外殼
TO-247-3

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