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IXTH1N200P3HV

更新時間:2025-05-16 11:47:57

供應商
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深圳市誠研翔科技有限公司
IXTH1N200P3HV
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深圳市吉銘貿(mào)易有限公司
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深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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IXTH1N200P3HV 概述

IXTH1N200P3HV是IXYS公司生產(chǎn)的一款高電壓功率MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有2000V的漏源擊穿電壓，適用于需要高阻斷能力的場合。其最大連續(xù)漏極電流為1A，在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能。該MOSFET采用TO-247封裝，這種封裝方式有助于提高散熱效率。典型應用場景包括工業(yè)電源、電機驅(qū)動和醫(yī)療設備中的高壓開關(guān)電路。在實際應用中，需注意柵極驅(qū)動電壓要保持在規(guī)定范圍內(nèi)以確?？煽块_關(guān)操作。進行PCB布局時，應盡量減小源極引線電感以減少開關(guān)損耗并提高EMI性能。對于高頻應用，選擇合適的柵極電阻值可以優(yōu)化開關(guān)速度。此外，由于其高電壓特性，在使用時務必保證足夠的絕緣措施以確保安全。

IXTH1N200P3HV 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Polar P3?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
2000 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
1A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
40 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
23.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
646 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247HV
封裝/外殼
TO-247-3 變式

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廣東微爾科技有限公司

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IXTH02N250
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IXTH102N20T
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IXTH10N80A
IXTH10P50
IR2113S

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