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IXTH1N250

更新時間:2025-05-22 09:58:53

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IXTH1N250 概述

1N250是IXYS公司生產(chǎn)的一款高電壓功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有極低的導通電阻和快速開關特性，適用于高頻高效功率轉換應用。其最大漏源電壓（Vds）可達250V，連續(xù)漏電流（Id）為1A，非常適合用于逆變器、DC-DC轉換器以及各種開關電源設計中。在實際應用中，IXTH1N250常被用于需要高壓側開關的場合，如電機驅動電路中的H橋或半橋拓撲結構。由于其低柵極電荷（Qg），能夠顯著降低開關損耗，提高系統(tǒng)效率。使用時需注意適當?shù)纳嵩O計，以確保器件在高功率條件下穩(wěn)定工作。推薦搭配合適的柵極驅動器使用，以充分發(fā)揮其高速開關性能。

IXTH1N250 規(guī)格參數(shù)

制造商
IXYS
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
2500 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
1.5 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
40 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-247AD
封裝
Tube
下降時間
39 ns
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
1.8 mS
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
250 W
上升時間
25 ns
工廠包裝數(shù)量
30
典型關閉延遲時間
132 ns

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