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IXTH30N50L2

更新時間:2025-05-22 01:27:58

供應商
產品型號
服務標識
數量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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只做原裝進口現貨，專注配單

深圳市安富世紀電子有限公司
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現代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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現代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市吉銘貿易有限公司
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深圳市騰樁電子有限公司
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上海熠富電子科技有限公司
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上海原裝現貨庫存，歡迎咨詢

北京羅徹斯特電子科技有限公司
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長期供應原裝現貨IXYS優(yōu)勢，可提供研發(fā)選型生產配套

深圳市英特翎科技有限公司
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3000
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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8000
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深圳市群川盛達電子有限公司
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中揚電子（深圳）有限公司
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6000
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TO247/22+
十年配單，只做原裝

深圳市誠研翔科技有限公司
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5000
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深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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深圳市銘爾達科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市富科達科技有限公司
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深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司
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IXTH30N50L2外觀圖

IXTH30N50L2

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 30A 500V TO-247

封裝:TO-247-3

IXTH30N50L2 概述

IXTH30N50L2是由IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用了先進的溝槽技術，具備低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源、不間斷電源系統（UPS）、直流電機驅動等需要高效能量轉換的應用場景。此型號為N溝道增強型MOSFET，最大漏極-源極電壓Vds為500V，連續(xù)漏極電流Id在25℃時可達30A。其優(yōu)化的柵極電荷設計使得它在高頻應用中表現出色，能夠顯著降低開關損耗并提高整體效率。此外，這款MOSFET還具有較高的雪崩擊穿耐量，增強了系統的可靠性與穩(wěn)定性，在工業(yè)級和商業(yè)級設備中廣泛應用。使用時需注意散熱設計，確保工作溫度不超過額定范圍以保障長期穩(wěn)定運行。

IXTH30N50L2 規(guī)格參數

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
Linear L2™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
240nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
8100pF @ 25V
功率 - 最大
400W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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