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IXTH30N60P

更新時間:2025-05-25 12:28:55

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IXTH30N60P外觀圖

IXTH30N60P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

封裝:TO-247-3

IXTH30N60P 概述

IXTH30N60P是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效電源轉換應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達30A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。這款MOSFET廣泛應用于不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅動以及工業(yè)電源等領域。在電路設計中，建議根據具體應用場景選擇合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并注意散熱設計以確保器件工作在安全溫度范圍內。使用時應遵循制造商推薦的PCB布局指南，減少寄生電感影響，提高系統(tǒng)整體效率和可靠性。

IXTH30N60P 規(guī)格參數

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
240 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
82nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5050pF @ 25V
功率 - 最大
540W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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IXTH10N60
IXTH10N80A
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