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IXTK140N30P

更新時間:2025-06-08 12:28:54

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
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封裝/批號
說明
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深圳市誠研翔科技有限公司
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IXTK140N30P外觀圖

IXTK140N30P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 300V 140A TO-264

封裝:TO-264-3，TO-264AA

IXTK140N30P 概述

IXTK140N30P是由IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用了先進(jìn)的Trench技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其最大漏源電壓為300V，能夠承受較大的電流，連續(xù)漏極電流可達(dá)140A，適合于高功率應(yīng)用場合。典型應(yīng)用場景包括不間斷電源（UPS）、逆變器、電機(jī)驅(qū)動以及各種工業(yè)電源管理系統(tǒng)。由于其出色的熱穩(wěn)定性和低損耗特性，IXTK140N30P在要求嚴(yán)格的環(huán)境條件下也能保持可靠運(yùn)行。在設(shè)計(jì)時應(yīng)注意合理布局散熱裝置，并確保柵極驅(qū)動電路的穩(wěn)定性以防止誤操作。對于需要高效能量管理的設(shè)計(jì)，這款MOSFET是一個理想選擇。

IXTK140N30P 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
25
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
Polar™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
300V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
140A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
24 毫歐 @ 70A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 500µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
185nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
14800pF @ 25V
功率 - 最大
1040W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-264
包裝
散裝
其它名稱
Q4597844

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