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IXTP08N50D2

更新時間:2025-07-09 11:39:47

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IXTP08N50D2外觀圖

IXTP08N50D2

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB

封裝:TO-220-3

IXTP08N50D2 概述

IXTP08N50D2是IXYS公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器和其他高效電力電子應用中。其最大漏源電壓為500V，連續(xù)漏極電流可達8A，在需要高電壓處理能力和良好熱性能的應用場景中表現(xiàn)出色。由于其優(yōu)化的開關(guān)速度，能有效減少開關(guān)損耗，提高整體系統(tǒng)效率。在實際應用中，建議搭配合適的柵極驅(qū)動電路以確保最佳性能，并注意散熱設計，避免過熱影響器件壽命。

IXTP08N50D2 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
800mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.6 歐姆 @ 400mA，0V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
-
閘電荷(Qg) @ Vgs
12.7nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
312pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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IXTP10P15T
IXTP10P50P
IR2153

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