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IXTP24N65X2

更新時間:2025-05-18 04:34:23

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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原裝可含稅可開票

深圳市金燦利電子科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單

北京睿宸齊芯科技有限公司
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IXTP24N65X2 概述

IXTP24N65X2是IXYS公司的一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-247封裝。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點，最大漏源電壓(VDS)可達650V，連續(xù)漏極電流(ID)為24A。其柵極電荷(Qg)較低，有助于降低驅動損耗并提高整體效率。適用于高頻開關電源、不間斷電源(UPS)、電機驅動器以及各種工業(yè)和消費類應用中的功率轉換電路。在設計時應注意合理的PCB布局以減少寄生電感，并確保適當?shù)纳岽胧┮跃S持長期可靠運行。對于需要高效能量管理的場合，這款MOSFET是一個理想選擇。

IXTP24N65X2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
300現(xiàn)貨
系列
Ultra X2
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
145 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2060 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
390W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220-3
封裝/外殼
TO-220-3

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廣東微爾科技有限公司

IXTP24N65X2推薦型號

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IXTP01N100D
IXTP06N120P
IXTP08N100D2
IXTP08N120P
IXTP08N50D2
IXTP10P15T
IXTP10P50P
IRF730

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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