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IXTP56N15T

更新時間:2025-05-27 15:45:09

供應商
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IXTP56N15T外觀圖

IXTP56N15T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 150V 56A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP56N15T 概述

IXTP56N15T是由IXYS公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件適用于高功率、高速度開關(guān)應用。其最大漏源電壓為150V，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，有助于減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。該MOSFET廣泛應用于工業(yè)電源、電機驅(qū)動、不間斷電源(UPS)以及高頻焊接設備等領(lǐng)域。在電機驅(qū)動電路中，可作為H橋或半橋電路的開關(guān)元件使用。使用時需要注意其最大功耗限制，確保散熱設計合理以避免過熱損壞。在實際應用中，建議搭配適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路，保證MOSFET在開關(guān)過程中能夠可靠導通和關(guān)斷。如果用于大電流場合，需要特別注意PCB布局和走線寬度，以降低寄生電感影響。

IXTP56N15T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
TrenchHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
56A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
36 毫歐 @ 28A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
34nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2250pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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